铝诱导多晶硅薄膜的制备与微结构研究

• 作者: 夏冬林 徐慢 杨晟 赵修建
• 来源期刊: 武汉理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铝诱导晶化 多晶硅薄膜 非晶硅薄膜
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 8-10
• 页数: 3页
• 分类号: O766|TN304
• 字数: 1900字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4431.2006.05.003

摘要

利用PECVD设备在普通玻璃基片上沉积a-Si薄膜,采用铝诱导晶化法(AIC)在氮气气氛下进行快速退火处理制备出poly-Si薄膜.研究了不同的热处理条件对a-Si薄膜微观结构、表面形貌的影响,通过XRD、Raman、SEM等测试手段对薄膜的结构、形貌进行表征.结果表明:铝膜的厚度为1 μm时,在450 ℃下退火10 min,薄膜样品开始向poly-Si薄膜转变,并且随着退火温度的升高和退火时间的增加,晶化程度加强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵修建	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	220	2735	25.0	43.0
2	徐慢	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	10	206	6.0	10.0
3	夏冬林	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	43	437	11.0	20.0
4	杨晟	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	9	160	6.0	9.0