磁控溅射制备铁掺杂氮化铜薄膜的研究

• 作者: 刘祖黎 姚凯伦 左安友 李兴鳌 杨建平 袁作彬
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化铜薄膜 磁控溅射 电阻率
• 年，卷（期）: 2006,（12）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 141-143
• 页数: 3页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2959字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2006.12.039

摘要

采用反应磁控溅射法在氮气分压0.5Pa、基底温度100℃条件下,在玻璃基底上分别制备了氮化铜薄膜和铁掺杂氮化铜薄膜.XRD显示氮化铜薄膜择优(111)晶面生长,铁掺杂使氮化铜薄膜的结晶程度减弱.AFM显示铁掺杂使氮化铜薄膜粗糙度增加.铁掺杂不同程度地提高了氮化铜薄膜的沉积速率和电阻率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨建平	湖北民族学院理学院	27	66	4.0	7.0
2	姚凯伦	华中科技大学物理系	32	341	10.0	17.0
3	刘祖黎	华中科技大学物理系	36	485	12.0	21.0
4	左安友	湖北民族学院理学院	56	153	6.0	8.0
5	李兴鳌	华中科技大学物理系	32	94	5.0	8.0
7	袁作彬	湖北民族学院理学院	29	93	5.0	8.0