半导体器件中金属化系统的失效模式

• 作者: 蒲耀川
• 来源期刊: 甘肃科技纵横
• 学科: 工学
• 关键词: 金属化系统 可靠性 失效模式 电迁移
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 工业科技
• 页码范围: 48,16
• 页数: 2页
• 分类号: TN3
• 字数: 4354字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-6375.2006.06.034

摘要

阐述了半导体器件中金属化系统的失效模式和机理,提出了为消除金属化系统失效模式和提高金属化系统可靠性而采取的措施.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒲耀川		2	1	1.0	1.0