脉冲偏压对TiAlN/TiN多层膜生长及熔滴的影响

• 作者: 冯博学 刘金良 唐卫国 宫永辉 毛延发 韩培刚
• 来源期刊: 深圳大学学报（理工版）
• 学科: 工学
• 关键词: 脉冲偏压 TiAlN/TiN膜 生长过程 熔滴 多弧离子镀
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 化学与化工
• 页码范围: 410-413
• 页数: 4页
• 分类号: TB43
• 字数: 2788字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2618.2007.04.016

摘要

针对直流脉冲负偏压对PVD涂层形成过程和熔滴造成很大影响的问题,通过施加脉冲偏压有利于实现低温沉积.研究发现,沉积速率随直流脉冲负偏压峰值的提高先升高后降低,在-300 V偏压时沉积速率最大;熔滴密度和直径随脉冲负偏压峰值的提高递减;随偏压升高,加大了元素溅射产额的差异,使涂层中铝元素和钛元素的含量发生变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯博学	兰州大学物理科学与技术学院	15	233	8.0	15.0
2	宫永辉	深圳大学机电与控制工程学院	6	64	4.0	6.0
3	毛延发	西安建筑科技大学冶金工程学院	8	139	6.0	8.0
4	唐卫国	兰州大学物理科学与技术学院	1	11	1.0	1.0
5	刘金良	兰州大学物理科学与技术学院	5	172	4.0	5.0
6	韩培刚		5	97	4.0	5.0