基于物理α指数MOSFET模型的SRAM存储体单元优化

• 作者: 杨军 顾明
• 来源期刊: 电子与信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 静态随机存储器(SRAM) 物理α指数MOSFET模型 存储体单元
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 223-226
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 字数: 2859字
• 语种: 中文

摘要

存储体单元是静态随机存储器(SRAM)最基本、最重要的组成部分,它在改善系统性能、提高芯片可靠性、降低成本与功耗等方面都起到了积极的作用.该文采用物理α指数MOSFET模型建立了与SRAM存储体单元相关的功耗,延迟的性能模型,并结合存储体单元面积模型以及可靠性分析,提出了一种存储体单元结构优化方法.实验结果表明采用此优化方法得出的存储体单元结构降低了功耗,访问时间以及面积,与仿真结果相比误差小于10%,实验仿真结果证明了性能模型和优化方法的有效性和正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨军	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	210	2336	24.0	38.0
2	顾明	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	11	36	4.0	5.0