氨化Si基Ga2O3/Ta薄膜制备GaN纳米线

• 作者: 庄惠照 张晓凯 李红 杨兆柱 秦丽霞 薛成山 陈金华
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 磁控溅射 纳米线
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 薄膜技术
• 页码范围: 31-33,51
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 1519字
• 语种: 中文

摘要

利用磁控溅射技术在Si衬底上制备Ga2O3/Ta薄膜,然后在900℃、氨气中退火合成了大量的一维单晶氮化镓纳米线.用X射线衍射、扫描电子显微镜、傅里叶红外吸收光谱、透射电子显微镜、选区电子衍射和光致发光谱对制备的氮化镓进行了表征.结果表明,制备的GaN纳米线是六方纤锌矿结构,其直径大约为50 nm,最大长度可达8 μm左右.室温下光致发光谱的测试发现了364 nm处有较强紫外发光峰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛成山		5	21	2.0	4.0
2	李红		1	1	1.0	1.0
3	庄惠照		2	8	1.0	2.0
4	张晓凯		1	1	1.0	1.0
5	陈金华		1	1	1.0	1.0
6	杨兆柱		1	1	1.0	1.0