硅基超晶格Ⅵ(A)/Si6/SiO2/Si6/Ⅵ(A)的电子结构

• 作者: 陈捷 黄美纯
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 超晶格 硅基材料 能带结构
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 175-178
• 页数: 4页
• 分类号: O471.5
• 字数: 2244字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-0479.2007.02.007

摘要

硅的有效光发射是硅基光电器件研究的一个关键问题,因此一直受到广泛的关注.本文采用第一性原理对新的硅基材料Ⅵ(A)/Sim/SiO2/Sim/Ⅵ(A)(m=6,Ⅵ(A)=O,Se)的能带结构、态密度和电荷密度等进行了计算研究.通过改变掺入Ⅵ(A)族原子氧和硒的对比,分析了SiO2层、不同的Ⅵ(A)族原子以及它们与最近邻Si原子的相互作用对硅基材料电子性质的影响.研究表明,在局域密度近似(LDA)下,O/Si6/SiO2/Si6/O结构在X点存在准直接带隙的特征,而Se/Si6/SiO2/Si6/Se在Γ点存在很小的直接带隙.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄美纯	厦门大学物理学系	35	129	7.0	8.0
2	陈捷	厦门大学物理学系	13	152	7.0	12.0