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摘要:
采用直流反应磁控溅射法,在未抛光的Al2O3基片上制备WO3薄膜,在干燥空气中经过热处理;利用SEM观察薄膜表面形貌;通过XRD测量,对薄膜的晶体结构进行分析;薄膜氢敏特性测试采用静态配气法.经过400℃热处理,当工作温度在270 ℃时,对体积分数为3×10-4℃H2的灵敏度达到了77,稳定性较高、选择性好、响应时间在15 s以内.WO3薄膜是一种较理想的氢敏材料,在氢敏传感器的设计中必定会得到足够的重视和广泛应用.
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文献信息
篇名 磁控溅射法制备WO3薄膜及其氢敏特性研究
来源期刊 微纳电子技术 学科 工学
关键词 磁控溅射 WO3 氢敏传感器 灵敏度
年,卷(期) 2007,(7) 所属期刊栏目 敏感功能材料
研究方向 页码范围 102-104
页数 3页 分类号 TP212.2
字数 1754字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.07.032
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈鹏 天津大学电子信息工程学院 33 223 8.0 13.0
2 胡明 天津大学电子信息工程学院 139 1336 19.0 28.0
3 冯有才 天津大学电子信息工程学院 8 46 4.0 6.0
4 尹英哲 天津大学电子信息工程学院 8 46 4.0 6.0
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研究主题发展历程
节点文献
磁控溅射
WO3
氢敏传感器
灵敏度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微纳电子技术
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1671-4776
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大16开
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18-60
1964
chi
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