CMP加工过程中均匀去除率的研究

• 作者: 种宝春
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 全局平坦化 化学机械抛光 抛光头 区域压力控制
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: IC前道制造
• 页码范围: 58-61
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 1751字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2007.01.012

摘要

半导体制造技术已经达到了亚微米技术水平,CMP(chemical mechanical planarization)化学机械抛光是IC制造工艺中进行全局平坦化唯一的途径,分析了针对大直径晶圆进行全局平坦化,达到面型精度和表面完整性的要求而采取的区域压力控制技术.