MOSFET器件并联实验研究

• 作者: 刘承俊 张良 章林文 黄子平
• 来源期刊: 通信电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 并联 兆赫兹重复频率 MOSFET 固体开关
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 研制开发
• 页码范围: 5-7,11
• 页数: 4页
• 分类号: TN32
• 字数: 2279字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-3664.2007.06.002

摘要

采用图腾柱的驱动方式,设计了应用于IXYS公司的功率MOSFET器件DE375-102N12的驱动电路.单个开关在多脉冲下具有良好的脉冲一致性.以该功率MOSFET器件进行的6个并联实验说明,影响并联的MOSFET的动态均流的主要参数是放电回路中的回路电感和寄生电感,电路板的布局与布线对并联的功率MOSFET有很大的影响,良好的布局可以大大提高电路的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	章林文	中国工程物理研究院流体物理研究所	72	415	12.0	16.0
2	黄子平	中国工程物理研究院流体物理研究所	28	190	9.0	13.0
3	刘承俊	中国工程物理研究院流体物理研究所	14	116	6.0	10.0
4	张良	中国工程物理研究院流体物理研究所	7	108	6.0	7.0