PDSOI CMOS SRAM单元临界电荷的确定

• 作者: 海潮和 赵发展 郭天雷 韩郑生
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 临界电荷 单粒子翻转 PDSOI 寄生三极管 SRAM
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 1133-1136
• 页数: 4页
• 分类号: TN47
• 字数: 2279字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.04.002

摘要

PDSOI CMOS SRAM单元的临界电荷(Critical Charge)是判断SRAM单元发生单粒子翻转效应的依据.利用针对1.2 μm抗辐照工艺提取的PDSOI MOSFET模型参数,通过HSPICE对SRAM 6T存储单元的临界电荷进行了模拟,指出了电源电压及SOI MOEFET寄生三极管静态增益β对存储单元临界电荷的影响,并提出了在对PDSOI CMOS SRAM进行单粒子辐照实验中,电源电压的最恶劣偏置状态应为电路的最高工作电压.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
3	郭天雷	中国科学院微电子研究所	8	33	3.0	5.0
4	赵发展	中国科学院微电子研究所	13	109	5.0	10.0