硅晶圆CMP抛光速率影响因素分析

• 作者: 谭刚
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶硅 化学机械抛光 平坦化
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 传感器理论及工艺
• 页码范围: 1-2,6
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 1833字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.07.001

摘要

化学机械抛光(CMP)技术是半导体工艺中不可缺少的重要工艺.针对硅晶圆CMP平坦性问题,系统地考察了压力、转速、抛光垫、浆料、温度等因素对硅晶圆平坦化速率的影响,从中找到它们之间的优化参数,减少CMP工艺中的表面划伤、抛光雾、金属离子沾污,清除残余颗粒,保证硅晶圆的平坦化质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭刚	中国工程物理研究院电子工程研究所	10	47	4.0	6.0