带使能控制的低功耗BiCMOS带隙基准电压源的设计

• 作者: 冯秋霞 刘军 孙俊岳 蒋国平
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准电压源电路 BiCMOS 使能控制 低功耗
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 电子·电路
• 页码范围: 54-59
• 页数: 6页
• 分类号: TN43
• 字数: 2175字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2007.12.015

摘要

基于0.6μm BiCMOS工艺设计了一种高稳定性、低功耗以及带有使能控制的带隙基准电压源,利用HSPICE仿真工具对电路进行了仿真.在3.6 V的电源电压和27℃室温下,输出的基准电压约为1.248 V,其温度系数为15×10-5/℃;当电源电压在2.7 V～5.5 V变化时,基准电压仅变化10 mV;同时电路亦输出逻辑使能信号;在全条件下,整个电路的最大功耗约为65.45μW.因具有低功耗和使能控制等特性,所以他可广泛应用在各种开关电源等芯片内部.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙俊岳	大连理工大学电子与工程系	2	3	1.0	1.0
2	刘军	大连理工大学电子与工程系	13	86	4.0	9.0
3	蒋国平	大连理工大学电子与工程系	22	232	8.0	15.0
4	冯秋霞	大连理工大学电子与工程系	4	6	1.0	2.0