MEMS中硅的深度湿法刻蚀研究

• 作者: 刘婵 叶芸 吴雯 张凯 胡光 顾豪爽
• 来源期刊: 湖北大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 微机电系统 湿法刻蚀 深度刻蚀 刻蚀速率 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 物理学与电子技术
• 页码范围: 255-257
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 字数: 1396字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2375.2007.03.010

摘要

探讨用于MEMS硅湿法刻蚀的刻蚀液浓度、温度、添加剂种类和浓度对刻蚀速率及表面粗糙度的影响,优化得到最佳刻蚀条件,刻蚀速率较常用刻蚀条件时提高约3倍;用扫描电镜观察刻蚀后的表面形貌,结果显示优化刻蚀条件下硅表面粗糙度得到极大的改善.以优化的刻蚀条件进行深度刻蚀,蚀刻出深达236μm的窗口,图形完整,各向异性良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾豪爽	湖北大学物理学与电子技术学院	86	386	10.0	14.0
2	胡光	湖北大学物理学与电子技术学院	5	55	3.0	5.0
3	张凯	湖北大学物理学与电子技术学院	8	60	3.0	7.0
4	叶芸	湖北大学物理学与电子技术学院	3	30	2.0	3.0
5	吴雯	湖北大学物理学与电子技术学院	8	43	3.0	6.0
6	刘婵	湖北大学物理学与电子技术学院	4	33	3.0	4.0