ESD与方波脉冲对集成电路注入损伤的比较研究

• 作者: 谭志良 贺其元 陈京平
• 来源期刊: 军械工程学院学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ESD脉冲 方波脉冲 集吵
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 装备电磁防护理论与技术
• 页码范围: 23-26,34
• 页数: 5页
• 分类号: O441.1
• 字数: 3434字
• 语种: 中文

摘要

采用方波脉冲和ESD脉冲对3种集成电路进行了注入损伤效应实验,目的是比较二者对器件损伤的异同之处.分析时,首先对实验数据作拟合分析,建立起相关的数学模型,然后将模型值和实际值进行比较.可得到结论:实验器件有高压强场致PN结击穿和热效应2种损伤模式.对同一种器件,2种注入方式下的损伤模式相同或类似.方波注入下,各损伤阈值参数可拟合为1个式子来描述它们之间的关系,ESD注入下则还不确定;对同一器件,不同注入方式下的阈值不同,目前结果表明相差2～3倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈京平	军械工程学院弹药工程系	16	203	9.0	14.0
2	谭志良	军械工程学院弹药工程系	62	313	9.0	15.0
3	贺其元	军械工程学院弹药工程系	17	199	8.0	13.0