液相生长热氧化法制备SnO2气体敏感薄膜

• 作者: 杜军 杨志民 毛昌辉 熊玉华 王磊
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 其他
• 关键词: 电子技术 SnO2 RGTO 薄膜 气敏
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 14-17
• 页数: 4页
• 分类号: O.472
• 字数: 2987字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2007.05.005

摘要

在不同的热氧化温度下,用液相生长热氧化法(RGTO)制备了SnO2薄膜.探讨了热氧化温度对SnO2薄膜结构和成分的影响,并进一步研究了不同热氧化温度下制备的SnO2薄膜的气敏性能.测试结果表明:260 ℃工作温度下,600 ℃热氧化制备的SnO2薄膜气敏元件,对氢气的灵敏度最佳.在100～1 000 mg·kg-1的氢气浓度范围内,灵敏度由47递增至70.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜军		75	496	13.0	17.0
2	王磊		38	221	9.0	12.0
3	毛昌辉		60	564	12.0	21.0
4	杨志民		40	363	9.0	17.0
5	熊玉华		20	94	7.0	8.0