等离子体低温刻蚀单晶硅高深宽比结构

• 作者: 卢德江 蒋庄德
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低温刻蚀 微机电系统 深宽比 刻蚀滞后
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 25-30
• 页数: 6页
• 分类号: TB71+7
• 字数: 3902字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2007.01.006

摘要

等离子体低温刻蚀是一种针对高深宽比结构的干法刻蚀技术.本文在低温刻蚀单晶硅样品时得到典型的刻蚀结果为:各向异性值＞0.99,硅刻蚀速率＞1.5 μm/min,对SiO2刻蚀选择比＞75,说明该刻蚀方法很具竞争力.通过对载片台温度、反应气体配比、腔体气压和ICP线圈功率等工艺参数的系列实验分析,证明低温刻蚀高深宽比硅微结构必需一定的低温和氧,同时揭示出低温刻蚀过程的主要控制因素是离子轰击而非刻蚀表面的化学反应.本文还对刻蚀过程中刻蚀滞后和凹蚀现象的产生机理进行了分析讨论,指出介电质掩蔽层的充放电效应导致了凹蚀,而刻蚀滞后的诱因则与通常的刻蚀情况不同,主要是台阶对离子轰击的覆盖效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋庄德	西安交通大学精密工程研究所	165	1512	18.0	28.0
3	卢德江	西安交通大学精密工程研究所	6	51	4.0	6.0