投影光刻机硅片调焦调平测量模型

• 作者: 李小平 陈飞彪
• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光学器件 光刻 测量模型 调焦调平 步进光刻机
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 仪器、测量与计算
• 页码范围: 1987-1991
• 页数: 5页
• 分类号: TP212.6
• 字数: 2727字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-2239.2007.11.013

摘要

成像质量是光学光刻机的最主要指标,硅片调焦调平测量是光刻机控制成像质量的基础.为此建立了硅片调焦调平测量系统单个测量点的测量模型,并根据硅片形貌标准和集成电路尺寸标准,推导了近似运算规则,简化了曝光场高度与测量光斑在光电探测器上的位置之间的数学关系.运用最小二乘法和平面拟合曝光场曲面的方法,推导了基于多个测量点的曝光场高度和倾斜测量的数学模型.该模型能满足调焦调平实时测量和控制的需要,可用于测量精度优于10 nm的高精度调焦调平测量系统,能满足线宽小于100 nm投影步进扫描光刻机的需要.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李小平	华中科技大学数字制造装备与技术国家重点实验室	26	220	9.0	14.0
2	陈飞彪	华中科技大学数字制造装备与技术国家重点实验室	3	22	3.0	3.0