采用氧化物复合底电极的BTO薄膜结构和性能

• 作者: 尹章 张鹰 朱俊 李言荣
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 铁电材料 BTO薄膜 PLD 氧化物复合底电极 电滞回线 疲劳特性
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 50-52
• 页数: 3页
• 分类号: TM22
• 字数: 1962字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2007.04.016

摘要

用球磨法制备Bi4Ti3O12(BTO)靶材.用PLD法在Pt/TiO2/SiO2/Si基片上先分别以三种氧化物SrRuO3(SRO)、LaSrCoO3(LSCO)、LaNiO3(LNO)和Pt生成复合底电极,再在其上生长了外延取向的BTO薄膜.分析了薄膜的结构和性能.结果表明,这种BTO薄膜的c轴取向得到抑制,其极化强度从0.45×10-6 C/cm2提高到0.9×10-6 C/cm2;矫顽场强从90×103 V/cm下降到50×103 V/cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹰	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	47	169	7.0	9.0
2	李言荣	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	115	824	15.0	21.0
3	尹章	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	1	1.0	1.0
4	朱俊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	34	102	5.0	6.0