反应溅射法在蓝宝石衬底上制备CeO2缓冲层

• 作者: 古宏伟 李弢 王霈文 雷跃刚
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 反应溅射 CeO2缓冲层 蓝宝石 外延生长
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 750-754
• 页数: 5页
• 分类号: TB43
• 字数: 2653字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2007.06.006

摘要

用金属铈作为靶材, 采用射频反应磁控溅射法在(1102)蓝宝石衬底上制备C轴取向CeO2外延薄膜缓冲层. 结果表明在温度低于450 ℃或溅射功率低于50 W的条件下CeO2 薄膜呈(111)取向生长; 升高温度和功率CeO2薄膜的(111)取向减弱, (002)取向增强; 在温度高于750 ℃或溅射功率高于120 W条件下CeO2薄膜呈(111)取向和(002)取向混合生长. 结合X射线衍射仪和原子力显微镜表征CeO2薄膜的结构和表面形貌, 获得在最优化条件下(衬底温度在680 ℃左右, 溅射功率在80 W左右, 溅射气压在25 Pa, 氩氧比在15∶1)制备的CeO2薄膜具有优良的面内面外取向和平整的表面.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	古宏伟		33	206	6.0	13.0
2	李弢		21	85	5.0	8.0
3	王霈文		8	14	2.0	3.0
4	雷跃刚		1	2	1.0	1.0