一种改进的超低压电压基准源设计

• 作者: 刘永根 张波 李肇基 游剑 罗萍
• 来源期刊: 中国集成电路
• 学科: 工学
• 关键词: 电压基准 衬底电压 阈值电压 曲率补偿
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 设计
• 页码范围: 24-27,23
• 页数: 5页
• 分类号: TN4
• 字数: 1787字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-5289.2007.06.004

摘要

本文利用NMOS管与PMOS管栅源电压的温度特性及衬底偏置效应,设计了一种带曲率补偿输出电压约为233mV的电压基准源.该电路结构简单,电源抑制特性较好,并与传统带隙基准电压的温度特性相似.利用0.5-CMOS工艺对电路进行仿真,仿真结果表明:电源电压为1V时,在-40℃至125℃温度范围内,基准源的温度系数约为11ppm/℃;在100Hz和10MHz时电源抑制比分别为-58.6dB和-40dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	206	1313	17.0	26.0
2	李肇基	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	85	958	14.0	28.0
3	罗萍	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	74	534	11.0	20.0
4	刘永根	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	6	42	4.0	6.0
5	游剑	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	12	2.0	2.0