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摘要:
将新器件结构与新型半导体材料相结合,提出了一种新型的n-区三层渐变掺杂理想欧姆接触型p+(SiGeC)-n-n+异质结功率二极管,并对n-区的杂质分布梯度进行了优化.基于MEDICI,给出了该结构的关键物理参数模型,并在此基础上对新结构的设计思路和工作原理进行了全面分析.结果表明,与常规理想欧姆接触结构相比,该新结构在保持快而软反向恢复特性的前提下,反向阻断电压增加了近一倍,而且正向通态特性也有所改善,很好地实现了功率二极管中Qs-Vf-Ir三者的良好折中.
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文献信息
篇名 一种新型渐变掺杂理想欧姆接触SiGeC/Si功率二极管
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 SiGeC/Si异质结 功率二极管 反向阻断特性 欧姆接触
年,卷(期) 2007,(3) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 342-348
页数 7页 分类号 TN313+.4
字数 1450字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.03.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 高勇 西安理工大学电子工程系 189 1184 15.0 26.0
2 刘静 西安理工大学电子工程系 58 261 8.0 14.0
3 王彩琳 西安理工大学电子工程系 43 203 8.0 12.0
4 杨媛 西安理工大学电子工程系 92 559 12.0 19.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
SiGeC/Si异质结
功率二极管
反向阻断特性
欧姆接触
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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