一种新型渐变掺杂理想欧姆接触SiGeC/Si功率二极管

• 作者: 刘静 杨媛 王彩琳 高勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGeC/Si异质结 功率二极管 反向阻断特性 欧姆接触
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 342-348
• 页数: 7页
• 分类号: TN313+.4
• 字数: 1450字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.03.006

摘要

将新器件结构与新型半导体材料相结合,提出了一种新型的n-区三层渐变掺杂理想欧姆接触型p+(SiGeC)-n-n+异质结功率二极管,并对n-区的杂质分布梯度进行了优化.基于MEDICI,给出了该结构的关键物理参数模型,并在此基础上对新结构的设计思路和工作原理进行了全面分析.结果表明,与常规理想欧姆接触结构相比,该新结构在保持快而软反向恢复特性的前提下,反向阻断电压增加了近一倍,而且正向通态特性也有所改善,很好地实现了功率二极管中Qs-Vf-Ir三者的良好折中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高勇	西安理工大学电子工程系	189	1184	15.0	26.0
2	刘静	西安理工大学电子工程系	58	261	8.0	14.0
3	王彩琳	西安理工大学电子工程系	43	203	8.0	12.0
4	杨媛	西安理工大学电子工程系	92	559	12.0	19.0