高温压力传感器用多晶硅-AlN-硅单晶基片

• 作者: 孙以材 李辉 李金 李鹏 潘国峰
• 来源期刊: 仪表技术与传感器
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 氮化铝薄膜 高温压力传感器 直流磁控反应溅射
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 工艺与设备
• 页码范围: 7-10
• 页数: 4页
• 分类号: TP212
• 字数: 4648字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-1841.2007.05.004

摘要

论述纳米多晶硅-氮化铝隔膜-硅单晶衬底基片的研制.此基片可供制造高温力学量传感器.其要点是在力敏电阻条与硅弹性膜之间利用AlN进行绝缘隔离.AlN与硅的热膨胀系数接近,附着力高,耐击穿性好.又具有高化学稳定性,高热导率,对于压力传感器的电桥散热特别有利,可解决压力传感器启动时的零点时漂.由于无P-N结,力敏电阻无反向漏电,因此用此基片制造的力学量传感器的特性好(零点电漂移及热漂移小、非线性小).力敏电阻条由纳米多晶硅构成.利用在600℃退火Al诱导晶化能使溅射得到的非晶硅转化成纳米多晶硅.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙以材	河北工业大学信息工程学院	117	1247	18.0	31.0
2	潘国峰	河北工业大学信息工程学院	70	462	10.0	18.0
3	李鹏	河北工业大学信息工程学院	18	151	9.0	12.0
4	李辉	河北工业大学信息工程学院	46	263	10.0	14.0
5	李金	河北工业大学信息工程学院	1	2	1.0	1.0