ZrW2O8/E-51电子封装材料电学性能研究

• 作者: 徐伟 徐桂芳 程晓农 管艾荣
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 电子封装材料 环氧树脂 ZrW2O8 电学性能
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 47-49
• 页数: 3页
• 分类号: TM21
• 字数: 3213字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2007.12.015

摘要

采用具有负热膨胀特性的ZrW2O8粉体和SiO2粉体分别作为填料制备E-51环氧树脂电子封装材料.测试了填料对封装材料的相对介电常数、介质损耗、阻温特性和电击穿场强等电性能的影响.结果表明:在相同含量下,ZrW2O8填料效果好;随ZrW2O8量的增加,介质损耗不断减小,ZrW2O8与E-51的质量比为0.7:1时,相对介电常数最大;在室温～163 ℃范围内,ZrW2O8/ E-51的电阻率稳定在3.03×106 Ω·m,电击穿场强均大于10 kV/m.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程晓农	江苏大学材料学院	344	2629	24.0	32.0
2	徐桂芳	江苏大学材料学院	50	344	11.0	16.0
3	徐伟	江苏大学材料学院	31	158	8.0	11.0
4	管艾荣	江苏大学材料学院	5	56	4.0	5.0