高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析

• 作者: 张杨 戴扬 曾一平 杨富华 王良臣 马龙
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 共振隧穿二极管 峰-谷电流比 电流-电压特性 器件模拟
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 563-566
• 页数: 4页
• 分类号: TN31
• 字数: 1954字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.04.017

摘要

在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长制备了不同势垒厚度的RTD材料样品,室温下测量的最高峰-谷电流比为18.39.通过模拟得到RTD直流特性与势垒厚度、势阱材料及厚度、隔离层厚度以及掺杂浓度间的关系,对结果进行了分析与讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾一平	中国科学院半导体研究所	85	439	11.0	16.0
2	张杨	中国科学院半导体研究所	43	179	7.0	12.0
3	马龙	中国科学院半导体研究所	50	495	14.0	21.0
4	王良臣	中国科学院半导体研究所	31	192	8.0	13.0
5	杨富华	中国科学院半导体研究所	49	227	9.0	14.0
6	戴扬	中国科学院半导体研究所	2	5	2.0	2.0