基于RT器件的三值与非门、或非门电路设计

• 作者: 吕伟锋 孙玲玲 林弥
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: RT器件 多值逻辑 开关序列 与非门 或非门
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1983-1987
• 页数: 5页
• 分类号: TN312.2
• 字数: 3241字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.12.025

摘要

共振隧穿(resonant tunnel,RT)器件本身所具有的微分负阻(negative differential resistance,NDR)特性使其成为天然的多值器件.文中利用RT器件的负阻特性,以开关序列原理为指导,设计了基于RT电路的开关模型,实现了更为简单的三值RT与非门和或非门电路,并利用MOS网络模型,通过SPICE软件仿真验证了所设计电路的正确性.该设计思想可推广到更高值的多值电路设计中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙玲玲	杭州电子科技大学电子信息学院	68	213	8.0	9.0
3	吕伟锋	杭州电子科技大学电子信息学院	25	71	5.0	7.0
4	林弥	杭州电子科技大学电子信息学院	24	52	4.0	6.0