多晶硅薄膜制备方法与压阻特性的研究

• 作者: 刘晓为 宋明浩 揣容岩 潘慧艳 王喜莲
• 来源期刊: 传感器与微系统
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射 低压化学气相淀积 多晶硅薄膜 应变系数 压阻特性
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨
• 页码范围: 18-20
• 页数: 3页
• 分类号: O738
• 字数: 2413字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9787.2007.04.006

摘要

对磁控溅射和低压化学气相淀积(LPCVD)2种方法制备的多晶硅薄膜的电学和压阻特性进行了研究,并讨论了结晶化工艺对磁控溅射薄膜性质的影响.实验表明:LPCVD薄膜稳定性、重复性较好,应变系数可达到20以上;磁控溅射薄膜经适当结晶化工艺处理具有纳晶硅的结构特征,应变系数可达到80以上.利用扫描电镜(SEM)图片结合电阻率和应变系数的测试结果,讨论了2种方法制备出的多晶硅薄膜应用于压阻式力学量传感器的可行性.