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摘要:
采用反应磁控溅射工艺分别制备掺杂Ti、Mo、Ni、V的WOx薄膜,研究了掺杂对其电致变色性能的影响机理.实验结果表明,适量的掺杂可以提高薄膜的电致变色性能,Mo的掺杂可以调节光谱吸收范围,Ni、V的掺杂可以提高记忆存储能力,Ti的掺杂可以延长循环寿命;磁控溅射制备的掺杂WOx薄膜均为非晶态.
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文献信息
篇名 磁控溅射Wox-Ti(Mo,Ni,V)薄膜的电致变色性能
来源期刊 材料导报 学科 工学
关键词 WOx 薄膜 电致变色 掺杂 磁控溅射
年,卷(期) 2007,(4) 所属期刊栏目 材料研究
研究方向 页码范围 144-146,154
页数 4页 分类号 TB34|O484
字数 3426字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1005-023X.2007.04.037
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 黄佳木 重庆大学材料科学与工程学院 84 690 13.0 20.0
2 徐爱娇 重庆大学材料科学与工程学院 3 14 3.0 3.0
3 蔡明 重庆大学材料科学与工程学院 6 112 5.0 6.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
WOx
薄膜
电致变色
掺杂
磁控溅射
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
材料导报
半月刊
1005-023X
50-1078/TB
大16开
重庆市渝北区洪湖西路18号
78-93
1987
chi
出版文献量(篇)
16557
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86
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