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摘要:
采用直流反应磁控溅射工艺,以纯钨靶为靶材在铟锡氧化物玻璃上制备电致变色WOx薄膜,研究了氧含量、溅射功率及溅射环境温度等工艺条件对其电致变色特性和结构的影响.实验结果表明:磁控溅射得到的WOx薄膜主要是非晶态的,在一定范围内,较低的氧含量,较高的溅射功率,较高的溅射环境温度下制备的WOx薄膜有较好的电致变色特性.
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文献信息
篇名 工艺参数对WOx薄膜电致变色特性和结构的影响
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 氧化钨 非晶态薄膜 电致变色特性 磁控溅射 透光率
年,卷(期) 2003,(10) 所属期刊栏目 信息材料及应用
研究方向 页码范围 38-41
页数 4页 分类号 TB34|O484
字数 2733字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2003.10.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 黄佳木 重庆大学材料学院 84 690 13.0 20.0
2 施萍萍 重庆大学材料学院 3 32 3.0 3.0
3 张新元 重庆大学材料学院 4 36 2.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
氧化钨
非晶态薄膜
电致变色特性
磁控溅射
透光率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
出版文献量(篇)
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31758
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