一种低温漂BiCMOS带隙基准电压源的设计

• 作者: 李彪 雷天民
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 模拟集成电路 带隙基准电压源 Brokaw参考电压源 温度补偿 BiCMOS
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 112-115
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 字数: 2174字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.01.029

摘要

文章介绍了一种低温漂的BiCMOS带隙基准电压源.基于特许半导体(Chartered)0.35 μm BiCMOS工艺,采用Brokaw带隙基准电压源结构,通过一级温度补偿技术,设计得到了一种在-40℃到+85℃的温度变化范围内温度系数为15.2×10-6/℃,输出电压为2.5 V±0.002 V的带隙基准电压源电路.±20%的电源电压变化情况下,输出电压变化为2.2 mV,电源电压抑制比为60 dB.5 V电源电压下功耗为1.19 mW.具有良好的电源抑制能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	雷天民	西安理工大学电子工程系	17	78	5.0	8.0
2	李彪	西安理工大学电子工程系	1	3	1.0	1.0