镉掺杂Bi2VO5.5的结构、相变、电导性能的研究

• 作者: 刘燕祎 李彬 潘伟 陈争辉
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 镉掺杂 Bi2VO5.5 电导率 相变 固体电解质
• 年，卷（期）: 2007,（z2）
• 页码范围: 635-638
• 页数: 4页
• 分类号: TG146.4
• 字数: 2272字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185x.2007.z2.182

摘要

通过X射线衍射,DSC和交流阻抗等测试方法研究了镉掺杂Bi2VO5.5的结构,相变和电性能.由于Cd2+的半径与V5+和Bi3+的半径都比较接近,所以在合成BICDVOX体系时假设了两种模型:Bi2V1-xCdxO5.5-3/2x(x=0.05,0.075,0.10,0.125,0.15)和Bi2-xVCdxO5.5-1/2x (x=0.10,0.20).XRD和DSC分析表明了这两种模型可能同时存在.根据交流阻抗谱的结果,当x=0.10时,具有较高的电导率,这归因于此成分使高电导的四方相可以稳定到室温.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李彬	清华大学材料科学与工程系	196	1122	13.0	32.0
2	潘伟	清华大学材料科学与工程系	86	734	14.0	23.0
3	陈争辉	清华大学材料科学与工程系	4	7	2.0	2.0
4	刘燕祎	清华大学材料科学与工程系	3	7	2.0	2.0