Bi2VO5.5铁电薄膜的制备及电学性质研究

• 作者: 张振伦 杨平雄 褚君浩 邓红梅 郭鸣
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 钒酸铋薄膜 金属/铁电薄膜/半导体结构 溶胶凝胶 电学特性
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 248-250,302
• 分类号: TB303
• 字数: 3552字
• 语种: 中文

摘要

利用溶胶凝胶法在 n-Si(100)衬底上成功制备了钒酸铋 (Bi2VO5.5)铁电薄膜.利用X射线衍射和原子力显微镜对薄膜的微结构进行了分析,结果表明,Bi2VO5.5薄膜与n-Si衬底有着良好的晶格匹配并表现出高度的c轴择优取向,晶粒大小均匀.对薄膜电学性质的研究表明,Bi2VO5.5薄膜具有良好的C-V特性,在±4V偏压下,存储窗大于0.4V.当外加偏压为3.2V时,漏电流密度为5×10-8Acm-2.1kHz下介电常数和介电损耗分别为95和0.22.这些结果说明,Bi2VO5.5在铁电存储器方面具有较大的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨平雄	华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室	17	25	2.0	4.0
2	郭鸣	华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室	10	19	2.0	4.0
3	褚君浩	华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室	22	27	3.0	4.0
4	张振伦	华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室	1	2	1.0	1.0
5	邓红梅		1	2	1.0	1.0