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摘要:
介绍了垂直喷淋式MOCVD反应器的最新计算机模拟仿真结果,并根据仿真结果对反应器的结构和参数进行了优化设计,应用在自行研制的用于GaN和四元化合物材料生长的设备中.
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文献信息
篇名 基于数值模拟的MOCVD反应器设计与优化
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 MOCVD 反应器 数值仿真 衬底托盘 利用率
年,卷(期) 2008,(7) 所属期刊栏目 新技术应用
研究方向 页码范围 37-41,51
页数 6页 分类号 TN304.055
字数 5312字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-4507.2008.07.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈海昕 清华大学工程力学系 39 279 9.0 14.0
2 胡晓宇 中国电子科技集团公司第四十八研究所 13 56 4.0 7.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
MOCVD
反应器
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衬底托盘
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电子工业专用设备
双月刊
1004-4507
62-1077/TN
大16开
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
1971
chi
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