真空室材料二次电子产额特性研究

• 作者: 刘祖平 尉伟 张耀锋 王勇 王建平 管长应 范乐
• 来源期刊: 中国物理C（英文版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子云 二次电子产额 真空室材料 TiN镀膜
• 年，卷（期）: 2008,（z1）
• 所属期刊栏目: 磁铁、电源、真空、机械
• 页码范围: 68-70
• 页数: 3页
• 分类号: O4
• 字数: 1965字
• 语种: 英文

摘要

设计了针对加速器真空室材料样品的二次电子产额测试装置.对测试装置的设计及测试过程进行了详细介绍,并给出了常见真空室材料的二次电子产额测试结果以及不锈钢材料在经过镀TiN薄膜处理前后的测试对比结果,分析了影响二次电子产额的一些因素,为真空室的表面处理提供了依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王勇	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	507	5142	33.0	48.0
2	刘祖平	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	38	177	7.0	11.0
3	张耀锋	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	4	20	3.0	4.0
4	尉伟	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	21	104	7.0	9.0
5	王建平	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	69	1069	13.0	31.0
6	范乐	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	12	56	6.0	7.0
7	管长应	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	3	9	2.0	3.0