三方晶硒纳米线的大面积合成及其场效应晶体管特性

• 作者: 兰林峰 曹镛 覃东欢 赵云 陶洪
• 来源期刊: 真空与低温
• 学科: 工学
• 关键词: 硒纳米线 光刻 场效应晶体管
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 68-72
• 页数: 5页
• 分类号: TN15|O711+.4
• 字数: 2807字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7086.2008.02.002

摘要

采用液相反应成功制备了高质量硒纳米线.利用透射电镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)以及X射线衍射仪(XRD)研究了纳米的形貌结构特征.结果表明,硒纳米线为单晶结构,生长方向沿[001]面,平行于螺旋轴.结合光刻技术及磁控溅射镀膜技术,成功制备了硒纳米线场效应晶体管器件.初步测试表明,这种硒纳米线为P型半导体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹镛	华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室	53	581	15.0	22.0
2	覃东欢	华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室	14	56	4.0	7.0
3	赵云	华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室	4	11	2.0	3.0
4	陶洪	华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室	8	14	3.0	3.0
5	兰林峰	华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室	3	5	1.0	2.0