P型ZnO薄膜制备的研究进展

• 作者: 刘萍 王禄荣 陈长春
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO薄膜 P型掺杂 自补偿 共掺杂 IB族元素掺杂
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 专家论坛
• 页码范围: 311-317,320
• 页数: 8页
• 分类号: TN304.055|TN304.21
• 字数: 6682字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.06.001

摘要

ZnO是一种性能优异的"低温蓝光工程"宽带隙Ⅱ一Ⅵ族半导体材料,但因本征施主缺陷和施主杂质引起的自补偿效应等使ZnO很难有效地实现n型向P型导电的转变.为此,阐述了ZnO薄膜的P型掺杂机理,介绍了国内外研究者在抑制自补偿、提高受主掺杂元素固溶度及寻求合适的受主掺杂元素等方面P型ZnO薄膜的最新研究进展.研究表明:增加ZnO材料中N原子固溶度的各种办法如施主-受主共掺杂、超声雾化气相淀积及本征ZnO薄膜在NH3气氛下后退火等和选择IB族中的Ag为受主掺杂元素是实现ZnO薄膜P型导电的有效措施.期望通过本综述能为国内ZnO基器件应用的P型ZnO薄膜的制备提供新思路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈长春	南京工业大学材料科学与工程学院	11	24	3.0	4.0
2	刘萍	南京工业大学材料科学与工程学院	6	21	3.0	4.0
3	王禄荣	南京工业大学材料科学与工程学院	1	8	1.0	1.0