一种快速判断非晶硅/微晶硅相变域的新方法

• 作者: 侯国付 孙建 耿新华 薛俊明 袁育杰 赵颖
• 来源期刊: 中国科学G辑
• 关键词: 非晶硅 微晶硅 相变域 光发射谱
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 页码范围: 494-499
• 页数: 6页
• 语种: 中文

摘要

采用射频等离子体增强化学气相沉积方法制备了一系列不同硅烷浓度的硅薄膜材料,研究硅烷浓度变化对材料结构和电学特性的影响,寻找非晶/微晶相变域的位置;同时对材料沉积过程中的等离子体光发射谱(OES)进行了测试,并与Raman和电导结果相结合,研究采用OES的方法快速准确判断非晶,微晶相变域的可行性,并从理论上分析了OES方法可以判断非晶/微晶相变域的内在物理机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛俊明		26	157	7.0	11.0
2	耿新华		62	364	13.0	17.0
3	孙建		67	311	10.0	14.0
4	赵颖		105	1195	16.0	33.0
5	侯国付		23	203	9.0	13.0
6	袁育杰		6	4	1.0	2.0