快中子辐照直拉硅中V2的退火研究

• 作者: 杨帅 邓晓冉
• 来源期刊: 天津工程师范学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 快中子辐照 辐照缺陷 双空位 傅立叶红外吸收光谱(FTIR) 正电子湮没技术(PAS)
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 44-46
• 页数: 3页
• 分类号: TB34|TB321
• 字数: 2175字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-0926.2008.03.013

摘要

利用傅立叶红外吸收光谱(FTIR)和正电子湮没技术(PAS)对快中子辐照直拉硅中的双空位(V2)的退火行为进行了研究.实验表明,双空位主要通过捕获VO而消失,因V3O与V2有相同的正电子寿命,因此,正电子湮没谱中V2成分比IR吸收谱中V2的消除温度提高大约100℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨帅	天津理工大学理学院	12	44	3.0	6.0
2	邓晓冉	天津工程师范学院数理与信息科学系	5	40	2.0	5.0