CMP加工过程去除率的影响因素研究

• 作者: 周国安 柳滨 王学军 种宝春
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 全局平坦化 化学机械抛光 下压力 抛光盘 抛光液
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体制造与设备
• 页码范围: 34-37
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2629字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2008.01.007

摘要

CMP的加工过程,是对晶圆表面进行全局平坦化的过程,去除率是整个过程较为关键的指标.影响去除率的有下压力、抛光盘及抛光头的转速、温度、抛光液的种类等,综合考虑这些因素不仅能得到合理的材料去除率,优化平坦化效果,而且还能提高生产效率.