RF-PECVD法在钢衬底上沉积氮化硅薄膜的研究

• 作者: 席珍强 杜平凡 汪新颜 王勇 金达莱
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅薄膜 钢衬底 RF-PECVD 沉积速率
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 417-419
• 页数: 3页
• 分类号: TB383|O484.1
• 字数: 2244字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.03.021

摘要

采用射频等离子体增强化学气相沉积法(RF-PECVD)在钢衬底上沉积氮化硅薄膜.用台阶仪、X射线光电子能谱(XPS)、透射电镜(TEM)和扫描电镜(SEM)等手段对薄膜的厚度、成分、结构及形貌进行表征,并探讨了各工艺参数对薄膜沉积速率的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王勇	浙江理工大学材料工程中心	33	187	9.0	12.0
2	席珍强	浙江理工大学材料工程中心	36	71	5.0	7.0
3	金达莱	浙江理工大学材料工程中心	37	115	6.0	10.0
4	杜平凡	浙江理工大学先进纺织材料与制备技术教育部重点实验室	21	77	5.0	8.0
8	汪新颜	浙江理工大学材料工程中心	7	12	2.0	3.0