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摘要:
采用反应磁控溅射工艺通过改变N<,2气流量比在Si衬底上沉积300nm厚TiN薄膜.用原子力显微镜(AFM)观察薄膜表面形貌,并根据分形理论予以定量表征.结果表明:TiN薄膜的溅射模式与分形维数D<,f>值的演化存在相关性.当N<,2气流量比由O.0%增加至4.0%时,TiN薄膜的溅射方式属于金属模式,D<,f>保持不变;当N<,2气流量比继续增加至10.0%时,薄膜溅射方式转变为过渡模式,此时D<,f>急剧减小;而当N<,2气流量比超过10.0%以后,薄膜溅射模式改变为氮化物模式,相应的D<,f>轻微增加.
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文献信息
篇名 不同N2气流量比反应溅射TiN薄膜的表面形貌分形特征
来源期刊 量子电子学报 学科 工学
关键词 材料 表面形貌 分形理论 薄膜
年,卷(期) 2008,(3) 所属期刊栏目 激光应用
研究方向 页码范围 346-350
页数 5页 分类号 TN104.2|TB43
字数 3945字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-5461.2008.03.018
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1 雒向东 兰州城市学院培黎工程技术学院 30 121 7.0 9.0
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