碳纳米管薄膜的电泳沉积与场发射性能

• 作者: 秦玉香 胡明
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 碳纳米管薄膜 场发射 电泳沉积
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 12-14
• 页数: 3页
• 分类号: O462.4|TB383
• 字数: 1671字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2008.05.004

摘要

采用电泳法在Si基片上沉积碳纳米管(CNTs)薄膜.研究了电泳极间距、电泳时间及电泳电压等对沉积的薄膜形貌结构与场发射性能的影响.SEM、高倍光学显微镜和场发射性能测试结果表明,保持阴阳极间距为2 cm,在100 V的直流电压下电泳2 min所获得的CNTs薄膜均匀、连续、致密且具有最好的场发射性能,其开启电场强度仅为1.19 V/μm,当外加电场强度为2.83 V/μm时,所获得的最大发射电流密度可达14.23×10-3 A/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡明	天津大学电子信息工程学院	139	1336	19.0	28.0
2	秦玉香	天津大学电子信息工程学院	16	107	7.0	9.0