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ATE应对90nm及以下节点良率问题
ATE应对90nm及以下节点良率问题
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摘要：
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基于90nm SOI CMOS工艺的24GHz信号发生器
SOI CMOS
功率放大器
信号发生器
90nm pMOSFETs NBTI退化模型及相关机理
NBTI
90nm
pMOSFETs
模型
90nm CMOS工艺SRAM的优化及应用
优化
低功耗自我修复SRAM
冗余逻辑
电源开启/关闭状态
90nm MOS器件亚阈值区RTS噪声幅度
RTS
幅度
深亚微米
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期刊影响力
集成电路应用
主办单位：
上海贝岭股份有限公司
出版周期：
月刊
ISSN：
1674-2583
CN：
31-1325/TN
开本：
16开
出版地：
上海宜山路810号
邮发代号：
创刊时间：
1984
语种：
chi
出版文献量（篇）
4823
总下载数（次）
15
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