ZnCdSe量子阱/CdSe量子点耦合结构中的激子复合

• 作者: 卜凡亮 张振中 张立功 李丽华 王蓉 申德振 郑著宏 金华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 政治法律
• 关键词: ZnCdSe量子阱/CdSe量子点 光致发光 复合 隧穿
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2252-2255
• 页数: 4页
• 分类号: D47
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.11.031

摘要

采用MOCVD方法制备了ZnCdSe量子阱/CdSe量子点耦合结构,利用低温(5K)光致发光光谱和变密度发光光谱研究了该结构中的激子隧穿和复合.观察到在该结构中存在由量子阱到量子点的激子隧穿现象.改变垒层厚度会对量子阱和量子点的发光产生显著影响.在垒层较薄的阱/点耦合结构中,隧穿效应可以有效地抑制量子阱中的带填充和饱和效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张立功	中国科学院激发态物理重点实验室	19	71	5.0	7.0
2	张振中	中国科学院激发态物理重点实验室	10	103	4.0	10.0
3	王蓉	中国人民公安大学安全防范系	43	196	8.0	12.0
4	金华	中国人民公安大学安全防范系	45	154	6.0	11.0
5	卜凡亮	中国人民公安大学安全防范系	46	161	7.0	11.0
6	李丽华	中国人民公安大学安全防范系	40	139	6.0	10.0
7	郑著宏	中国科学院激发态物理重点实验室	14	42	3.0	6.0