GaAs光导开关暗态击穿原因分析

• 作者: 刘娟 李寅鑫 苏伟
• 来源期刊: 激光与光电子学进展
• 学科: 工学
• 关键词: 光导开关 击穿 Silvaco模拟 温度
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 41-45
• 页数: 5页
• 分类号: TN365
• 字数: 3417字
• 语种: 中文

摘要

光导开关(PCSS)在暗态耐压测试中耐压值低于理论值.根据GaAs材料特性,分析了暗态下光导开关的击穿机理.指出碰撞电离与电流控制负微分迁移率效应是导致开关击穿的直接原因.使用Silvaco半导体仿真软件对模型进行了模拟计算,结果表明温度显著影响电场、载流子浓度分布,引起碰撞电离等效应加剧,造成器件耐压值偏低.仿真结果与实验值基本相近,室温下耐压水平为33～40 kV/cm.光导开关击穿特性与温度密切相关,改善光导开关散热条件可提高开关耐压水平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苏伟	中国工程物理研究院电子工程研究所	92	541	12.0	16.0
2	刘娟	中国工程物理研究院电子工程研究所	11	56	4.0	7.0
3	李寅鑫	中国工程物理研究院电子工程研究所	8	34	4.0	5.0