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摘要:
文章主要介绍了热载流子效应机理及产生原因,从其机理出发着重介绍了抗热载流子效应的设计方法.影响CMOS电路热载流子效应的因素有:晶体管的几何尺寸、开关频率、负载电容、输入速率以及晶体管在电路中的位置.通过对这些因素的研究,文章提出了CMOS电路热载流子可靠性设计的通用准则.
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关键词热度
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文献信息
篇名 大规模集成电路抗热载流子设计
来源期刊 电子与封装 学科 工学
关键词 热载流子 可靠性设计 CMOS集成电路
年,卷(期) 2008,(4) 所属期刊栏目 电路设计
研究方向 页码范围 25-28
页数 4页 分类号 TN402
字数 1622字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1681-1070.2008.04.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 赵峰 中国电子科技集团公司第四十七研究所 7 27 2.0 5.0
2 姜立娟 中国电子科技集团公司第四十七研究所 3 4 1.0 2.0
3 唐拓 中国电子科技集团公司第四十七研究所 3 11 2.0 3.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
热载流子
可靠性设计
CMOS集成电路
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
月刊
1681-1070
32-1709/TN
大16开
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
2002
chi
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
24
总被引数(次)
9543
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