脉冲激光沉积技术沉积温度对PZT/LSAT薄膜生长取向的影响

• 作者: 张辉 张鹏翔 朱杰 胡俊涛 谢康
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 铁电薄膜 薄膜取向 脉冲激光沉积 X射线衍射 原子力显微镜
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 1384-1387
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2243字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2008.09.018

摘要

采用固相法分别制备了标准摩尔配比和铅过垦10%的两种靶材.并利用脉冲激光沉积技术(PLD)在镧锶铝钽(LaSrAlTaO3,LSAT)单晶衬底上成功制备了锆钛酸铅(Pb(Zr0.3Ti0.7)O3,PZT)铁电薄膜,在550～750℃沉积温度范围内研究了PZT薄膜的生长取向和铅含最对薄膜生长取向的影响.利用X射线衍射(XRD)仪和原子力显微镜(AFM)表征了薄膜生长取向和表面形貌.XRD测量表明在标准摩尔配比情况下薄膜牛长从550 C近似c轴取向逐渐过渡到750℃近似a轴取向,而在铅过量情况下薄膜生长取向无明显过渡性变化;AFM测量表明PZT薄膜在近似C轴和a轴生长情况下,表面均方根(RMS)粗糙度分别为16.9 nm和13.7 nm,而在混合生长无择优取向的情况下,薄膜表面均方根粗糙度达到68 nm,这可能是两种取向竞争生长的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹏翔	昆明理工大学光电子新材料研究所	148	1293	19.0	28.0
2	张辉	昆明理工大学光电子新材料研究所	66	154	6.0	8.0
3	胡俊涛	昆明理工大学光电子新材料研究所	4	30	3.0	4.0
4	朱杰	昆明理工大学光电子新材料研究所	5	15	2.0	3.0
8	谢康	昆明理工大学光电子新材料研究所	1	10	1.0	1.0