Ⅱ型超晶格InAs/GaInSb红外探测材料

• 作者: 杜国同 殷景志 汤艳娜 王一丁 索辉 纪永成 赵强 马艳 高福斌
• 来源期刊: 激光与红外
• 学科: 工学
• 关键词: InAs/GalnSb Ⅱ型超晶格 红外 探测器
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 综述与评论
• 页码范围: 754-756,761
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2131字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5078.2008.08.002

摘要

综述了近年来对InAs/GaInSb Ⅱ型超晶格材料的研究结果,给出了禁带宽度与各层厚度和组分的关系.InAs/GaInSb Ⅱ型超晶格材料对应的工作波长范围在3～25μm,有望在LWIR和VLWIR方面替代HgCdTe.