真空度对VO2(B)型薄膜制备及光电特性的影响

• 作者: 何捷 刘中华 孙鹏 孟庆凯 宋婷婷 张雷
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 VO2(B)型薄膜 真空度 光电特性
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 1370-1374
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 4093字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2008.09.015

摘要

对不同真空度下得到的VO2(B)型薄膜的结品状况、组分、电学性质 和光学性质进行测试和分析,以探讨退火真空度对VO2(B)型薄膜的影响.以高纯五氧化二钒(V2O3)粉末(纯度高于99.99%,质量分数)为原料,采用真 空蒸发——还原工艺,分别在高、低真空度下还原出VO2(B)型(空间群为C2m)薄膜.利用X射线衍射(XRD)仪,X射线光电子能谱仪(XPS),电阻温度关系(TCR)测试仪和紫外可见分光光度计对薄膜进行测试,讨论了退火真空度对VO2(B)刑薄膜的结品状况、组分、电学性质和光学性质的影响.结果显示,在高、低真空度下退火,VO2(B)型薄膜出现的温度范围是不同的,在低真空度下退火出现的范围在400～480℃,而在高真空度下退火出现的范围只有400～440 C；高真空度退火得到薄膜的晶粒较大,透过率较低真空度得到的薄膜高7%～8%；但在低真空度下退火,薄膜中的V更易被还原,电阻温度系数绝对值更大,最大可达-2.4%/K.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋婷婷	四川大学物理科学与技术学院辐射物理及技术教育部重点实验室	19	154	7.0	12.0
2	张雷	四川大学物理科学与技术学院辐射物理及技术教育部重点实验室	27	78	5.0	7.0
3	何捷	四川大学物理科学与技术学院辐射物理及技术教育部重点实验室	48	382	11.0	17.0
4	刘中华	四川大学物理科学与技术学院辐射物理及技术教育部重点实验室	7	34	2.0	5.0
5	孟庆凯	四川大学物理科学与技术学院辐射物理及技术教育部重点实验室	6	44	3.0	6.0