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在(110)单晶硅上获得高性能nFET
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摘要：
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单晶硅微构件力学特性片上测试系统
微电子机械系统
单晶硅
片上测试
静电梳状驱动器
疲劳
某单晶硅辐照系统辐射防护评价
单晶硅辐照
活化活度
屏蔽
周围剂量当量
单晶硅微薄膜V形缺口疲劳特性研究
微机电系统
单晶硅
薄膜
疲劳
断口分析
片外测试
预共晶条件下单晶硅接头的组织性能研究
单晶硅
扩散连接
Au-Si预共晶连接
内容分析
关键词云
关键词热度
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
nFET
电子迁移率
NMOS
PMOS
金属栅
栅长
沟道长度
绝缘体上硅
阈值电压
半导体工业
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
出版周期：
双月刊
ISSN：
CN：
开本：
16开
出版地：
南京市1601信箱43分箱（南京市中山东
邮发代号：
创刊时间：
1990
语种：
chi
出版文献量（篇）
5953
总下载数（次）
11
总被引数（次）
664
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